为纪念北京大学杰出校友、中国半导体物理学科的奠基人黄昆先生，庆祝中国半导体学科创建50周年，由北京大学物理学院、北京大学微电子研究所、人工微结构和介观物理国家重点实验室联合主办的黄昆先生铜像落成仪式于2006年12月15日在北京大学物理大楼举行。北京大学党委书记闵维方出席仪式，并与黄昆先生的夫人李爱扶女士、长子黄志勤先生等一起为铜像揭幕。

从全国各地专程赶来的五校联合半导体专门化毕业的老同志，黄昆先生的弟子、同仁，以及北京大学物理学院、信息学院的师生等近百人参加了铜像落成仪式。

仪式上，黄昆先生当年的研究生秦国刚院士介绍了黄昆先生生平和主要成就。黄昆先生是世界著名的物理学家，他对固体物理学作出了许多开拓性的重大贡献，是我国固体物理学和半导体物理学的奠基人之一。黄昆先生一贯强调德才兼备，教书与育人相结合的教育原则，呕心沥血，教诲提携，以极大精力投入为国家培养科技人才的光荣事业，认为在中国培养一支科技队伍的重要性远远超过他个人在学术上的成就，堪称中国科学界的典范。黄昆先生为我们留下的不仅是一些举世瞩目的科学成果，还有在科学研究上不断创新、勇于探索的精神；不仅是一批批他所培养的科技事业的栋梁之才，还有严谨求实的治学态度和淡泊明志的高尚情操。他对祖国的赤子之情，对事业的赤子之诚，对党的赤诚之心和高尚的情操将垂范世人，启迪后学。秦国刚院士最后说, 作为黄昆先生的弟子，我们深切怀念这位半导体科学技术界的一代宗师和长期培养教诲我们中许多人的恩师，我们将沿着黄昆先生的足迹，在教学革命和推进科技进步的道路上阔步前进！

五校联合半导体专门化师生代表、复旦大学阮刚教授在发言中动情地说，黄昆先生最重要的贡献就是创办五校联合半导体专门化，为国家的半导体科技事业培养了一批又一批栋梁英才，为创建和发展我国半导体科技和教育事业、从无到有地建立和发展半导体工业体系起到了开拓性作用。黄先生所倡导的自力更生、团结协作、以及多方争取教育资源等先进的教育思想永远值得我们学习和发扬。

微电子研究所青年教师张兴、物理学院学生代表赵璐冰也在发言中表示，今天在这里聚会不仅是为了纪念，更是为了秉承先生遗志，弘扬科学精神，传承科学文化。要以黄昆先生为榜样，努力钻研专业知识，更要有深重的社会责任感，无私奉献，为国家科学技术的发展和振兴作出应有的贡献。

在落成仪式之后举行的座谈会上，五校联合半导体专门化老同学还一起回顾往事，深切缅怀黄昆先生当年创办五校联合半导体专门化的杰出贡献。

黄昆先生铜像落成仪式由物理学院叶沿林院长主持，出席仪式的有：南京大学物理系郑有炓院士，复旦大学微电子系阮刚教授，吉林大学电子工程学院刘式墉教授，厦门大学物理和机电学院副院长吴正云教授，中电58所许居衍院士，中科院长春光学精密机械与物理研究所张月清教授，中科院半导体所郑厚植院士、夏建白院士，清华大学李志坚院士、朱邦芬院士，国家外国专家局马俊如教授，北京市政协副主席、民革北京市委主委韩汝琦教授，北京大学甘子钊院士、王阳元院士、杨应昌院士、赵光达院士，北京大学校长助理朱星教授，物理系前主任赵凯华教授等。

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黄昆先生简介：

黄昆，1919年9月生于北京，祖籍浙江嘉兴。1941年毕业于燕京大学物理系，获理学学士学位；1941-1942年任昆明西南联大物理系助教；1942-1944年就读于西南联大北大研究院，获理学硕士学位；1944-1945年任昆明凤凰山天文台助理研究员；1945-1947年在英国布列斯托（Bristol）大学物理系学习，获哲学博士学位；1947-1948年在英国爱丁堡大学任访问学者；1948-1951年任英国利物浦大学理论物理系博士后研究员；1951年回国。1951-1977年任北京大学物理系教授；1954年起任北大物理系固体物理专门化教研室主任；1960－1966年任北京大学物理系副主任。1977-1983年任中国科学院半导体研究所所长，1983年后，任名誉所长。1987-1991年曾任中国物理学会理事长。他先后被选为中国科学院学部委员(院士)(1955年)，瑞典皇家科学院外籍院士(1980年)，第三世界科学院院士(1985年)。 黄昆先生先后在国内外获得过包括1995年度何梁何利基金科学与技术成就奖、2001年度国家最高科学技术奖等在内的多项科技和荣誉奖励。

黄昆先生是世界著名的物理学家，他对固体物理学作出了许多开拓性的重大贡献，是我国固体物理学和半导体物理学的奠基人之一。他从理论上预言了与晶格中杂质有关的X光漫散射，以后被称为“黄散射”。这个理论在六十年代获实验证实，“黄散射”已发展成为一种能直接研究固体中微观缺陷的有效手段。他的多声子跃迁理论，以“黄－里斯因子”而著称于世。他提出关于描述晶体中光学位移、宏观电场与电极化三者关系的“黄方程”和由此引伸的电磁波与晶格振动的耦合，即后来称为极化激元的重要概念。他与M.Born合著的《晶格动力学理论》一书，是一部有世界影响的经典性科学专著。他的理论对信息产业(特别是光电子产业)具有重要的现实指导意义，产生着越来越深远的影响。近年来，他与合作者对半导体超晶格的电子态和声子模开展了系统而富有成效的研究。 从“黄散射”到“黄方程”，从“黄－里斯因子”到“玻恩和黄”，以至“黄－朱模型”，黄昆院士在固体物理学发展史上建树了一块块丰碑；黄昆院士的贡献是属于全人类的，同时也为中华民族争得了荣耀和尊敬。

半个世纪以来，他不仅对固体物理学做出了重大贡献，同时还对高等学校中普通物理、固体物理和半导体物理的教学做出了重要贡献。黄昆先生1951年10月回到祖国，任北京大学物理系教授。回国不久，就全身心地投入到普通物理课的教学工作，他与虞福春，褚圣麟教授等一起革新了普通物理教学，建立的富有特色的普通物理教学体系，对此后几十年中，北大以至全国的普通物理教学产生巨大影响。

1954年以后，黄昆先生开始在校内外系统介绍近代固体物理学。1955年首次在本科生中开设《固体物理》这门课程。后来，国家教委根据他的建议将《固体物理》列为物理专业的一门基础课。1965年，黄昆先生在多年讲授固体物理的基础上撰写了《固体物理学》一书，对我国高校《固体物理学》教学起了重大推动作用。黄昆原著，韩汝琦改编的《固体物理学》于1990年第二届全国高等学校优秀教材评选中荣获国家特等奖。

1955年，黄昆先生邀请王守武、洪朝生、汤定元三位先生，与他们合作在北大物理系为固体物理专门化半导体方向的学生首次开设《半导体物理》课程。此后黄昆先生对此课程不断加以发展，并与谢希德先生合作，写出按当时国际标准来说也是十分先进和系统的《半导体物理学》一书，为我国培养半导体专门人才做出了重要贡献。

黄昆先生同时是我国半导体科技界的一代宗师，他辛勤开拓，奋斗不息，为创建和发展我国半导体科技事业作出重要贡献。为执行国家12年科学技术发展规划、加速半导体科学技术的发展，在黄昆先生和其他专家的建议下，教育部决定从 1956年暑假起将北京大学、复旦大学、南京大学、厦门大学和东北人民大学（现吉林大学）的有关教师，部分优秀的四年级本科生和研究生集中到北京大学，创办五校联合半导体专门化。该专门化由黄昆任主任，谢希德任副主任。两年间培养出半导体方向毕业生200多名，成为我国新兴半导体事业的第一批骨干力量，对我国从无到有地建立和发展半导体科学技术和工业体系起到了不可磨灭的作用。

1977年11月，黄昆先生调任中国科学院半导体研究所所长。他为半导体所带来了重视基础研究的风尚并培养和建立了理论与实验相结合的物理研究群体。他本人也迎来了科学研究第二春。他与合作者提出的超晶格光学声子模模型及准二维系统光学声子模的解析表达式被国际物理学界广泛接受，并称之为“黄朱模型”。为表彰黄昆先生对固体物理和半导体物理的一系列重大原创性贡献，2001 年他被授予国家最高科学技术奖。

2005年7月6日，黄昆先生在北京逝世，享年86岁。

（文：肖 庆 摄影：王立坤 孙永健）