凝聚态物理-北京大学论坛2019年第15期（No.465since 2001）
时间：6月6日（星期四）15:00－16:30
地点：北京大学物理大楼中212教室
功率半导体器件机遇与挑战
冯志红研究员
邀请人:沈波教授 bshen@pku.edu.cn•
摘要：随着半导体工艺技术的提升，硅功率器件性能已逼近材料极限，寻求新材料体系，提升器件功率、频率等性能势在必行。立足下一代无线通信、太赫兹安检等国际热点，本报告报道了实验室在GaN微波功率器件、固态太赫兹技术、SiCAPD紫外探测器以及超宽禁带等新型器件的进展。
北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理所
http://www.phy.pku.edu.cn/~icmp/forun/2019/201chun.xmll
报告人简介：冯志红研究员，博士生导师，博士毕业于香港科技大学电机及电子工程系，中国电子科技集团公司首席专家，国际电工技术标准委员会（IEC）专家，专用集成电路国家级重点实验室常务副主任，中国电科十三所副总工程师及科技委副主任。发表SCI论文百余篇，获省部级科技奖励多项，研究方向为新型半导体材料与电子器件。
