氧化镓是超宽禁带半导体材料的优异代表，具有禁带宽度大、临界击穿场强高、饱和速度高等优异的材料特性，是研制下一代大功率电子器件的先进战略性电子材料。近年来，得益于单晶衬底制备和n型外延掺杂技术的日益成熟，氧化镓在功率电子器件领域的发展十分迅速，器件部分性能指标已超越碳化硅的理论极限，充分展现出氧化镓巨大的发展潜力。报告将介绍南京大学团队在氧化镓超宽禁带半导体材料与器件方面的研究进展，同时展望超宽禁带半导体领域的关键挑战。
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